Werkstoffe und MethodikFraunhofer-Institut für Silicatforschung ISC

anorganisch-organische Hybridpolymere können lithographisch direkt strukturiert und chemisch als Negativresist oder als Positivresist formuliert werden. Um die Miniaturisierung von Chips weiter voranzutreiben werden von der Halbleiterindustrie neue (lithographische) Strukturierungsverfahren entwickelt, die entsprechend neuartige Resistmaterialien benötigen. Diese Resistmaterialien müssen geeignet sein, Strukturen im Nanometerbereich zu bilden. Sie benötigen eine hohe Sensitivität gegenüber der verwendeten Strahlung und sollten in ihren Ätzeigenschaften anpassbar sein.

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